Improving Charge Trapping/Detrapping Characteristics of Amorphous In-Ga-ZnO Thin-Film-Transistors Using Microwave Irradiation. | J Nanosci Nanotechnol;19(10): 6164-6169, 2019 Oct 01. | MEDLINE

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Improving Charge Trapping/Detrapping Characteristics of Amorphous In-Ga-ZnO Thin-Film-Transistors Using Microwave Irradiation.

Lee, Hyun-Woo; Choi, Hyun-Seok; Cho, Won-Ju.

Afiliación

Lee HW; Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, Seoul 139-701, South Korea.
Choi HS; Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, Seoul 139-701, South Korea.
Cho WJ; Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, Seoul 139-701, South Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 19(10): 6164-6169, 2019 Oct 01.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-31026929

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2019 Tipo del documento: Article País de afiliación: Corea del Sur

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