Dramatic Reduction of Contact Resistance via Ultrathin LiF in Two-Dimensional MoS2 Field Effect Transistors.
Nano Lett
; 21(8): 3503-3510, 2021 Apr 28.
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| ID: mdl-33856222
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nano Lett
Año:
2021
Tipo del documento:
Article