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Multi-scale modeling of 2D GaSe FETs with strained channels.
Toral-Lopez, A; Santos, H; Marin, E G; Ruiz, F G; Palacios, J J; Godoy, A.
Afiliación
  • Toral-Lopez A; Dpto. Electrónica y Tecnología de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, Spain.
  • Santos H; Dpto. Matemática Aplicada, Ciencia e Ingeniería de los Materiales y Tecnología Electrónica, Universidad Rey Juan Carlos, Spain.
  • Marin EG; Dpto. Electrónica y Tecnología de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, Spain.
  • Ruiz FG; Dpto. Electrónica y Tecnología de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, Spain.
  • Palacios JJ; Dpto. Física de la Materia Condensada, Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), and Instituto Nicolás Cabrera (INC), Universidad Autónoma de Madrid, Cantoblanco 28049, Spain.
  • Godoy A; Dpto. Electrónica y Tecnología de Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, Spain.
Nanotechnology ; 33(10)2021 Dec 13.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-34818631
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2021 Tipo del documento: Article País de afiliación: España
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