Tuning MoSO monolayer properties for optoelectronic and spintronic applications: effect of external strain, vacancies and doping.

Nguyen, Duy Khanh; Guerrero-Sanchez, J; Van On, Vo; Rivas-Silva, J F; Ponce-Pérez, R; Cocoletzi, Gregorio H; Hoat, D M

Nguyen, Duy Khanh; Guerrero-Sanchez, J; Van On, Vo; Rivas-Silva, J F; Ponce-Pérez, R; Cocoletzi, Gregorio H; Hoat, D M.

Afiliación

Nguyen DK; Group of Computational Physics and Simulation of Advanced Materials, Institute of Applied Technology, Thu Dau Mot University Binh Duong Province Vietnam khanhnd@tdmu.edu.vn.
Guerrero-Sanchez J; Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Nanociencias y Nanotecnología Apartado Postal 14 Ensenada Baja California Código Postal 22800 Mexico.
Van On V; Group of Computational Physics and Simulation of Advanced Materials, Institute of Applied Technology, Thu Dau Mot University Binh Duong Province Vietnam khanhnd@tdmu.edu.vn.
Rivas-Silva JF; Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Física Apartado Postal J-48 Puebla 72570 Mexico.
Ponce-Pérez R; Universidad Nacional Autónoma de México, Centro de Nanociencias y Nanotecnología Apartado Postal 14 Ensenada Baja California Código Postal 22800 Mexico.
Cocoletzi GH; Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Instituto de Física Apartado Postal J-48 Puebla 72570 Mexico.
Hoat DM; Institute of Theoretical and Applied Research, Duy Tan University Hanoi 100000 Vietnam dominhhoat@duytan.edu.vn.

RSC Adv ; 11(56): 35614-35623, 2021 Oct 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-35493147

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