Sub-Nanosecond Switching of Si:HfO2 Ferroelectric Field-Effect Transistor.
Nano Lett
; 23(4): 1395-1400, 2023 Feb 22.
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| ID: mdl-36763845
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nano Lett
Año:
2023
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Israel