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The Schottky barrier transistor in emerging electronic devices.
Schwarz, Mike; Vethaak, Tom D; Derycke, Vincent; Francheteau, Anaïs; Iniguez, Benjamin; Kataria, Satender; Kloes, Alexander; Lefloch, Francois; Lemme, Max; Snyder, John P; Weber, Walter M; Calvet, Laurie E.
Afiliación
  • Schwarz M; THM University of Applied Sciences, Germany.
  • Vethaak TD; Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, SE-412 96 Gothenburg, Sweden.
  • Derycke V; Université Paris-Saclay, CEA, CNRS, NIMBE, LICSEN, Gif-sur-Yvette, F-91191, France.
  • Francheteau A; University Grenoble Alps, GINP, CEA-IRIG-PHELIQS, Grenoble, France.
  • Iniguez B; Universitaet Rovira i Virgili (URV), Spain.
  • Kataria S; RWTH Aachen, Germany.
  • Kloes A; THM University of Applied Sciences, Germany.
  • Lefloch F; University Grenoble Alps, GINP, CEA-IRIG-PHELIQS, Grenoble, France.
  • Lemme M; RWTH Aachen, Germany.
  • Snyder JP; JCap, LLC, United States of America.
  • Weber WM; Technische Universität Wien, Institute of Solid State Electronics, Vienna, Austria.
  • Calvet LE; LPICM, CNRS-Ecole Polytechnique, Palaiseau, France.
Nanotechnology ; 34(35)2023 Jun 15.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-37100049
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2023 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania
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