Temperature-independent lasing wavelength of highly stacked InAs quantum dot laser fabricated on InP(311)B substrate with Bi irradiation.
Opt Lett
; 48(12): 3287-3290, 2023 Jun 15.
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en En
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| ID: mdl-37319083
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Banco de datos:
MEDLINE
Asunto principal:
Puntos Cuánticos
Idioma:
En
Revista:
Opt Lett
Año:
2023
Tipo del documento:
Article