Temperature-independent lasing wavelength of highly stacked InAs quantum dot laser fabricated on InP(311)B substrate with Bi irradiation.

Yanase, Satoshi; Akahane, Kouichi; Matsumoto, Atsushi; Umezawa, Toshimasa; Yamamoto, Naokatsu; Tominaga, Yoriko; Kanno, Atsushi; Maeda, Tomohiro; Sotobayashi, Hideyuki

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Temperature-independent lasing wavelength of highly stacked InAs quantum dot laser fabricated on InP(311)B substrate with Bi irradiation.

Yanase, Satoshi; Akahane, Kouichi; Matsumoto, Atsushi; Umezawa, Toshimasa; Yamamoto, Naokatsu; Tominaga, Yoriko; Kanno, Atsushi; Maeda, Tomohiro; Sotobayashi, Hideyuki.

Opt Lett ; 48(12): 3287-3290, 2023 Jun 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-37319083

Asunto(s)

Puntos Cuánticos; Temperatura; Bismuto; Rayos Láser

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Puntos Cuánticos Idioma: En Revista: Opt Lett Año: 2023 Tipo del documento: Article

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