Exploring the Potential of GaN-Based Power HEMTs with Coherent Channel. | Micromachines (Basel);14(11)2023 Oct 31. | MEDLINE

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Exploring the Potential of GaN-Based Power HEMTs with Coherent Channel.

Chen, Xinghuan; Wang, Fangzhou; Wang, Zeheng; Huang, Jing-Kai.

Afiliación

Chen X; The China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute, Guangzhou 510610, China.
Wang F; Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan 523808, China.
Wang Z; Manufacturing, CSIRO, Lindfield, NSW 2070, Australia.
Huang JK; Department of Systems Engineering, City University of Hong Kong, Hong Kong, China.

Micromachines (Basel) ; 14(11)2023 Oct 31.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-38004899

Palabras clave

GaN; HEMT; coherent channel; figure of merit

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Micromachines (Basel) Año: 2023 Tipo del documento: Article País de afiliación: China

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