Defect formation in H implantation of crystalline Si. | Phys Rev B Condens Matter;37(14): 8269-8277, 1988 May 15. | MEDLINE

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Defect formation in H implantation of crystalline Si.

Keinonen J; Hautala M; Rauhala E; Karttunen V; Kuronen A; Räisänen J; Lahtinen J; Vehanen A; Punkka E; Hautojärvi P.

Phys Rev B Condens Matter ; 37(14): 8269-8277, 1988 May 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-9944162

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Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1988 Tipo del documento: Article

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