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Atomic and electronic origins of a type- C defect on Si(001)
Miyazaki T; Uda T; Terakura K.
Afiliação
  • Miyazaki T; Electrotechnical Laboratory, 1-1-4 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan.
Phys Rev Lett ; 84(18): 4128-31, 2000 May 01.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-10990627
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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Ano de publicação: 2000 Tipo de documento: Article País de afiliação: Japão
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