Contact-induced crystallinity for high-performance soluble acene-based transistors and circuits. | Nat Mater;7(3): 216-21, 2008 Mar. | MEDLINE

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Contact-induced crystallinity for high-performance soluble acene-based transistors and circuits.

Gundlach, D J; Royer, J E; Park, S K; Subramanian, S; Jurchescu, O D; Hamadani, B H; Moad, A J; Kline, R J; Teague, L C; Kirillov, O; Richter, C A; Kushmerick, J G; Richter, L J; Parkin, S R; Jackson, T N; Anthony, J E.

Afiliação

Gundlach DJ; Semiconductor Electronics Division, Electronics and Electrical Engineering Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899-8120, USA. david.gundlach@nist.gov

Nat Mater ; 7(3): 216-21, 2008 Mar.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-18278050

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nat Mater Assunto da revista: CIENCIA / QUIMICA Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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