Characterization of the interface between the Hf-based high-k thin film and the Si using spatially resolved electron energy-loss spectroscopy.
Micron
; 41(1): 15-9, 2010 Jan.
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Idioma:
En
Revista:
Micron
Assunto da revista:
DIAGNOSTICO POR IMAGEM
Ano de publicação:
2010
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