Graphene field-effect transistors with high on/off current ratio and large transport band gap at room temperature.
Nano Lett
; 10(2): 715-8, 2010 Feb 10.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-20092332
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nano Lett
Ano de publicação:
2010
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
Estados Unidos