Quantum confinement induced performance enhancement in sub-5-nm lithographic Si nanowire transistors.
Nano Lett
; 11(4): 1412-7, 2011 Apr 13.
Article
em En
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| ID: mdl-21375286
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1
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01-internacional
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MEDLINE
Assunto principal:
Silício
/
Transistores Eletrônicos
/
Fotografação
/
Nanoestruturas
Idioma:
En
Revista:
Nano Lett
Ano de publicação:
2011
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
Estados Unidos