Aqueous solutions for low-temperature photoannealing of functional oxide films: reaching the 400 °C Si-technology integration barrier. | J Am Chem Soc;133(33): 12922-5, 2011 Aug 24. | MEDLINE

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Aqueous solutions for low-temperature photoannealing of functional oxide films: reaching the 400 °C Si-technology integration barrier.

De Dobbelaere, Christopher; Calzada, Maria Lourdes; Jiménez, Ricardo; Ricote, Jesús; Bretos, Iñigo; Mullens, Jules; Hardy, An; Van Bael, Marlies K.

Afiliação

De Dobbelaere C; Inorganic and Physical Chemistry Group, Institute for Materials Research, Universiteit Hasselt, IMEC vzw, Division IMOMEC, B-3590 Diepenbeek, Belgium.

J Am Chem Soc ; 133(33): 12922-5, 2011 Aug 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21806022

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Am Chem Soc Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article País de afiliação: Bélgica

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