Can the crystallization rate be independent from the crystallization enthalpy? The case of amorphous silicon. | J Phys Condens Matter;24(9): 095401, 2012 Mar 07. | MEDLINE

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Can the crystallization rate be independent from the crystallization enthalpy? The case of amorphous silicon.

Kail, F; Molera, J; Farjas, J; Roura, P; Secouard, C; Roca i Cabarrocas, P.

Afiliação

Kail F; GRMT, Department of Physics, University of Girona, Montilivi Campus, E17071-Girona, Catalonia, Spain.

J Phys Condens Matter ; 24(9): 095401, 2012 Mar 07.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22316607

Assuntos

Silício/química; Varredura Diferencial de Calorimetria; Cristalização; Cinética; Temperatura; Termodinâmica

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Silício Idioma: En Revista: J Phys Condens Matter Assunto da revista: BIOFISICA Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article País de afiliação: Espanha

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