Sub-100 fJ and sub-nanosecond thermally  driven threshold switching in niobium  oxide crosspoint nanodevices.

Pickett, Matthew D; Williams, R Stanley

Sub-100 fJ and sub-nanosecond thermally driven threshold switching in niobium oxide crosspoint nanodevices.

Pickett, Matthew D; Williams, R Stanley.

Afiliação

Pickett MD; Hewlett-Packard Laboratories, Palo Alto, CA 94304, USA. Matthew.Pickett@HP.com

Nanotechnology ; 23(21): 215202, 2012 Jun 01.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22551985

Assuntos

Nanoestruturas/química; Nanoestruturas/ultraestrutura; Nanotecnologia/instrumentação; Nióbio/química; Óxidos/química; Semicondutores; Processamento de Sinais Assistido por Computador/instrumentação; Condutividade Elétrica; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Temperatura Alta; Tamanho da Partícula

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Óxidos / Semicondutores / Processamento de Sinais Assistido por Computador / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Nióbio Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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