Dimensional effect of non-polar resistive random access memory (RRAM) for low-power memory application. | J Nanosci Nanotechnol;12(7): 5270-5, 2012 Jul. | MEDLINE

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Dimensional effect of non-polar resistive random access memory (RRAM) for low-power memory application.

Ryoo, Kyung-Chang; Oh, Jeong-Hoon; Jung, Sunghun; Jeong, Hongsik; Park, Byung-Gook.

Afiliação

Ryoo KC; Inter-University Semiconductor Research Center and School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, San 56-1, Sillim-dong, Gwanak-ku, Seoul 151-742, Republic of Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 12(7): 5270-5, 2012 Jul.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22966556

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Clinical_trials Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Clinical_trials Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article