Demonstration of Silicon-on-insulator mid-infrared spectrometers operating at 3.8 µm.

Muneeb, M; Chen, X; Verheyen, P; Lepage, G; Pathak, S; Ryckeboer, E; Malik, A; Kuyken, B; Nedeljkovic, M; Van Campenhout, J; Mashanovich, G Z; Roelkens, G

Muneeb, M; Chen, X; Verheyen, P; Lepage, G; Pathak, S; Ryckeboer, E; Malik, A; Kuyken, B; Nedeljkovic, M; Van Campenhout, J; Mashanovich, G Z; Roelkens, G.

Afiliação

Muneeb M; Photonics Research Group, Department of Information Technology, Ghent University - IMEC, Sint-Pietersnieuwstraat 41, 9000 Ghent, Belgium.

Opt Express ; 21(10): 11659-69, 2013 May 20.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23736389

Assuntos

Refratometria/instrumentação; Silício/química; Espectrofotometria Infravermelho/instrumentação; Ressonância de Plasmônio de Superfície/instrumentação; Condutividade Elétrica; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Refratometria / Silício / Espectrofotometria Infravermelho / Ressonância de Plasmônio de Superfície Idioma: En Revista: Opt Express Assunto da revista: OFTALMOLOGIA Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article País de afiliação: Bélgica

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