Improvement of UV electroluminescence of n-ZnO/p-GaN heterojunction LED by ZnS interlayer.

Zhang, Lichun; Li, Qingshan; Shang, Liang; Wang, Feifei; Qu, Chong; Zhao, Fengzhou

Zhang, Lichun; Li, Qingshan; Shang, Liang; Wang, Feifei; Qu, Chong; Zhao, Fengzhou.

Afiliação

Zhang L; School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, China. phyzlc@163.com

Opt Express ; 21(14): 16578-83, 2013 Jul 15.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23938509

Assuntos

Gálio/química; Iluminação/instrumentação; Medições Luminescentes/instrumentação; Compostos de Selênio/química; Semicondutores; Compostos de Zinco/química; Óxido de Zinco/química; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Teste de Materiais; Raios Ultravioleta

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Óxido de Zinco / Iluminação / Compostos de Zinco / Compostos de Selênio / Gálio / Medições Luminescentes Idioma: En Revista: Opt Express Assunto da revista: OFTALMOLOGIA Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article País de afiliação: China

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