Electrical transport and low-frequency noise in chemical vapor deposited single-layer MoS2 devices. | Nanotechnology;25(15): 155702, 2014 Apr 18. | MEDLINE

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Electrical transport and low-frequency noise in chemical vapor deposited single-layer MoS2 devices.

Sharma, Deepak; Amani, Matin; Motayed, Abhishek; Shah, Pankaj B; Birdwell, A Glen; Najmaei, Sina; Ajayan, Pulickel M; Lou, Jun; Dubey, Madan; Li, Qiliang; Davydov, Albert V.

Afiliação

Sharma D; Department of Electrical and Computer Engineering, George Mason University, Fairfax, VA 22030, USA. National Institute of Standards and Technology, Material Measurement Laboratory, Gaithersburg, MD 20899, USA.

Nanotechnology ; 25(15): 155702, 2014 Apr 18.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24642948

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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