Chemically enhanced double-gate bilayer graphene field-effect transistor with neutral channel for logic applications. | Nanotechnology;25(34): 345203, 2014 Aug 29. | MEDLINE

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Chemically enhanced double-gate bilayer graphene field-effect transistor with neutral channel for logic applications.

Nourbakhsh, Amirhasan; Agarwal, Tarun K; Klekachev, Alexander; Asselberghs, Inge; Cantoro, Mirco; Huyghebaert, Cedric; Heyns, Marc; Verhelst, Marian; Thean, Aaron; De Gendt, Stefan.

Afiliação

Nourbakhsh A; imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium. Department of Chemistry, KULeuven, Celestijnenlaan 200f, B-3001 Leuven, Belgium.

Nanotechnology ; 25(34): 345203, 2014 Aug 29.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25101635

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article País de afiliação: Bélgica

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