Significantly improved luminescence properties of nitrogen-polar (0001Ì
) InGaN multiple quantum wells grown by pulsed metalorganic chemical vapor deposition.
ACS Appl Mater Interfaces
; 7(1): 273-8, 2015 Jan 14.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-25494953
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Assunto da revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Ano de publicação:
2015
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
Estados Unidos