Significantly improved luminescence properties of nitrogen-polar (0001Ì) InGaN multiple quantum wells grown by pulsed metalorganic chemical vapor deposition. | ACS Appl Mater Interfaces;7(1): 273-8, 2015 Jan 14. | MEDLINE

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Significantly improved luminescence properties of nitrogen-polar (0001Ì) InGaN multiple quantum wells grown by pulsed metalorganic chemical vapor deposition.

Song, Jie; Chang, Shih-Pang; Zhang, Cheng; Hsu, Ta-Cheng; Han, Jung.

Afiliação

Song J; Department of Electrical Engineering, Yale University , New Haven, Connecticut 06520, United States.

ACS Appl Mater Interfaces ; 7(1): 273-8, 2015 Jan 14.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25494953

Palavras-chave

InGaN MQWs; MOCVD; N-polar; mounds; photoluminescence

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Assunto da revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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