The effect of a Ta oxygen scavenger layer on HfO2-based resistive switching behavior: thermodynamic stability, electronic structure, and low-bias transport. | Phys Chem Chem Phys;18(10): 7502-10, 2016 Mar 14. | MEDLINE

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The effect of a Ta oxygen scavenger layer on HfO2-based resistive switching behavior: thermodynamic stability, electronic structure, and low-bias transport.

Zhong, Xiaoliang; Rungger, Ivan; Zapol, Peter; Nakamura, Hisao; Asai, Yoshihiro; Heinonen, Olle.

Afiliação

Zhong X; Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA. heinonen@anl.gov.

Phys Chem Chem Phys ; 18(10): 7502-10, 2016 Mar 14.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26902598

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Chem Chem Phys Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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