Comparative study of photoluminescence from In<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As/GaAs surface and buried quantum dots. | Nanotechnology;27(46): 465701, 2016 Nov 18. | MEDLINE

Conteúdo principal 1 Busca 2 Rodapé 3

+A A -A Alto contraste

BVS Violência e Saúde

Informação e Conhecimento para a Saúde

Localizar descritor de assunto Busca Avançada

Comparative study of photoluminescence from In_0.3Ga_0.7As/GaAs surface and buried quantum dots.

Wang, Guodong; Liang, Baolai; Juang, Bor-Chau; Das, Aparna; Debnath, Mukul C; Huffaker, Diana L; Mazur, Yuriy I; Ware, Morgan E; Salamo, Gregory J.

Afiliação

Wang G; California NanoSystems Institute, University of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA. School of Physics and Electronic Information Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454000, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 27(46): 465701, 2016 Nov 18.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-27749272

Buscar no Google

Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article

Buscar no Google

Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article