Study of a SiGeSn/GeSn/SiGeSn structure toward direct bandgap type-I quantum well for all group-IV optoelectronics. | Opt Lett;42(3): 387-390, 2017 Feb 01. | MEDLINE

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Study of a SiGeSn/GeSn/SiGeSn structure toward direct bandgap type-I quantum well for all group-IV optoelectronics.

Ghetmiri, Seyed Amir; Zhou, Yiyin; Margetis, Joe; Al-Kabi, Sattar; Dou, Wei; Mosleh, Aboozar; Du, Wei; Kuchuk, Andrian; Liu, Jifeng; Sun, Greg; Soref, Richard A; Tolle, John; Naseem, Hameed A; Li, Baohua; Mortazavi, Mansour; Yu, Shui-Qing.

Opt Lett ; 42(3): 387-390, 2017 Feb 01.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28146483

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Lett Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article

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