Metallic filamentary conduction in valence change-based resistive switching devices: the case of TaOx thin film with xâ¼ 1.
Nanoscale
; 11(36): 16978-16990, 2019 Sep 28.
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em En
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| ID: mdl-31498350
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1
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Tipo de estudo:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Nanoscale
Ano de publicação:
2019
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
Alemanha