Detalles de la búsqueda
1.
Effect of Fe Doping Profile on Current Collapse in GaN-based RF HEMTs.
Chemistry
; 30(27): e202304100, 2024 May 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38451027
2.
Boosting the Curie temperature of GaN monolayer through van der Waals heterostructures.
Nanotechnology
; 35(30)2024 May 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38604152
3.
ß-Ga2O3nanotube arrays for high-performance self-powered ultraviolet photoelectrochemical photodetectors.
Nanotechnology
; 35(17)2024 Feb 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38271740
4.
High-responsivity dual-band ultraviolet photodetector based on Ga2O3/GaN heterostructure.
Opt Express
; 31(11): 18327-18335, 2023 May 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37381545
5.
Al0.1Ga0.9N p-i-n ultraviolet avalanche photodiodes with suppressed surface leakage current and uniform avalanche breakdown.
Opt Express
; 31(23): 37516-37522, 2023 Nov 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38017879
6.
High Power Figure-of-Merit, 10.6-kV AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode with Single Channel and Sub-100-µm Anode-to-Cathode Spacing.
Small
; 18(37): e2107301, 2022 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35869035
7.
Tunable tunneling magnetoresistance in in-plane double barrier magnetic tunnel junctions based on B vacancy h-NB nanoribbons.
Phys Chem Chem Phys
; 24(5): 3451-3459, 2022 Feb 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35076037
8.
Electron-Beam-Driven III-Nitride Plasmonic Nanolasers in the Deep-UV and Visible Region.
Small
; 16(1): e1906205, 2020 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31793750
9.
Back-illuminated AlGaN heterostructure solar-blind avalanche photodiodes with one-dimensional photonic crystal filter.
Opt Express
; 28(5): 6027-6035, 2020 Mar 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32225860
10.
The influence of an AlN seeding layer on nucleation of self-assembled GaN nanowires on silicon substrates.
Nanotechnology
; 31(4): 045604, 2020 Jan 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31578003
11.
Study on the self-absorption of InGaN quantum wells at high photon density.
Appl Opt
; 59(16): 4790-4795, 2020 Jun 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32543471
12.
Temperature-dependent ultraviolet Raman scattering and anomalous Raman phenomenon of AlGaN/GaN heterostructure.
Opt Express
; 27(4): 4781-4788, 2019 Feb 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30876088
13.
High Sensitive pH Sensor Based on AlInN/GaN Heterostructure Transistor.
Sensors (Basel)
; 18(5)2018 Apr 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29695112
14.
An Analytical Model of Dynamic Power Losses in eGaN HEMT Power Devices.
Micromachines (Basel)
; 14(8)2023 Aug 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37630169
15.
Enhanced Thermoelectric Properties of Coated Vanadium Oxynitride Nanoparticles/PEDOT:PSS Hybrid Films.
ACS Appl Mater Interfaces
; 2023 Feb 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36779867
16.
The Study on the Lasing Modes Modulated by the Dislocation Distribution in the GaN-Based Microrod Cavities.
Nanomaterials (Basel)
; 13(15)2023 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37570546
17.
Simulation Study on the Structure Design of p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-Based Ultraviolet Phototransistors.
Micromachines (Basel)
; 13(12)2022 Dec 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36557510
18.
Evaluation on Temperature-Dependent Transient VT Instability in p-GaN Gate HEMTs under Negative Gate Stress by Fast Sweeping Characterization.
Micromachines (Basel)
; 13(7)2022 Jul 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35888913
19.
Low Leakage Current and High Breakdown Field AlGaN/GaN MIS-HEMTs Using PECVD-SiNx as a Gate Dielectric.
Micromachines (Basel)
; 13(9)2022 Aug 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36144019
20.
Self-Assembly Nanopillar/Superlattice Hierarchical Structure: Boosting AlGaN Crystalline Quality and Achieving High-Performance Ultraviolet Avalanche Photodetector.
ACS Appl Mater Interfaces
; 2022 Jul 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35830680