Detalles de la búsqueda
1.
Reduced interface effect of proton beam irradiation on the electrical properties of WSe2/hBN field effect transistors.
Nanotechnology
; 35(30)2024 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38636473
2.
Long-range supercurrents through a chiral non-collinear antiferromagnet in lateral Josephson junctions.
Nat Mater
; 20(10): 1358-1363, 2021 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34354216
3.
Proton irradiation effects on mechanochemically synthesized and flash-evaporated hybrid organic-inorganic lead halide perovskites.
Nanotechnology
; 33(6)2021 Nov 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34715679
4.
Crystallinity-dependent device characteristics of polycrystalline 2D n = 4 Ruddlesden-Popper perovskite photodetectors.
Nanotechnology
; 32(18): 185203, 2021 Apr 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33498023
5.
Attachable and flexible aluminum oxide resistive non-volatile memory arrays fabricated on tape as the substrate.
Nanotechnology
; 28(13): 135201, 2017 Mar 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28170344
6.
Analysis of the interface characteristics of CVD-grown monolayer MoS2 by noise measurements.
Nanotechnology
; 28(14): 145702, 2017 Apr 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28276342
7.
Analysis of noise generation and electric conduction at grain boundaries in CVD-grown MoS2 field effect transistors.
Nanotechnology
; 28(47): 47LT01, 2017 Nov 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28994396
8.
A new approach for high-yield metal-molecule-metal junctions by direct metal transfer method.
Nanotechnology
; 26(2): 025601, 2015 Jan 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25513936
9.
Gate-bias stress-dependent photoconductive characteristics of multi-layer MoS2 field-effect transistors.
Nanotechnology
; 25(15): 155201, 2014 Apr 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24642746
10.
Oxygen environmental and passivation effects on molybdenum disulfide field effect transistors.
Nanotechnology
; 24(9): 095202, 2013 Mar 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23403849
11.
Inkjet printing of two-dimensional van der Waals materials: a new route towards emerging electronic device applications.
Nanoscale Horiz
; 7(10): 1161-1176, 2022 Sep 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35894100
12.
Tailoring the Electrical Characteristics of MoS2 FETs through Controllable Surface Charge Transfer Doping Using Selective Inkjet Printing.
ACS Nano
; 16(4): 6215-6223, 2022 Apr 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35377600
13.
Reduced dopant-induced scattering in remote charge-transfer-doped MoS2 field-effect transistors.
Sci Adv
; 8(38): eabn3181, 2022 Sep 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36129985
14.
Channel-Length-Modulated Avalanche Multiplication in Ambipolar WSe2 Field-Effect Transistors.
ACS Nano
; 16(4): 5376-5383, 2022 Apr 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35377607
15.
Role of Two-Dimensional Ising Superconductivity in the Nonequilibrium Quasiparticle Spin-to-Charge Conversion Efficiency.
ACS Nano
; 15(10): 16819-16827, 2021 Oct 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34597020
16.
Molecular Dopant-Dependent Charge Transport in Surface-Charge-Transfer-Doped Tungsten Diselenide Field Effect Transistors.
Adv Mater
; 33(44): e2101598, 2021 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34533851
17.
Ultrasensitive Photodetection in MoS2 Avalanche Phototransistors.
Adv Sci (Weinh)
; 8(19): e2102437, 2021 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34365721
18.
Recent Progress in Inkjet-Printed Thin-Film Transistors.
Adv Sci (Weinh)
; 6(6): 1801445, 2019 Mar 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30937255
19.
Recent Advances in Interface Engineering of Transition-Metal Dichalcogenides with Organic Molecules and Polymers.
ACS Nano
; 13(9): 9713-9734, 2019 Sep 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31330111
20.
Effect of Facile p-Doping on Electrical and Optoelectronic Characteristics of Ambipolar WSe2 Field-Effect Transistors.
Nanoscale Res Lett
; 14(1): 313, 2019 Sep 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31515651