Detalles de la búsqueda
1.
Multi-Objective Optimization for Rapid Identification of Novel Compound Metals for Interconnect Applications.
Small
; : e2308784, 2024 Apr 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38593360
2.
Monolithic 3D integration of 2D materials-based electronics towards ultimate edge computing solutions.
Nat Mater
; 22(12): 1470-1477, 2023 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38012388
3.
Covalent Nitrogen Doping and Compressive Strain in MoS2 by Remote N2 Plasma Exposure.
Nano Lett
; 16(9): 5437-43, 2016 09 14.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27494551
4.
Reduction of Magnetic Interaction Due to Clustering in Doped Transition-Metal Dichalcogenides: A Case Study of Mn-, V-, and Fe-Doped WSe2.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(4): 4991-4998, 2024 Jan 31.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38235733
5.
Geospatial analysis based on GIS integrated with LADAR.
Opt Express
; 21(20): 23579-91, 2013 Oct 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24104270
6.
Achieving near-perfect light absorption in atomically thin transition metal dichalcogenides through band nesting.
Nat Commun
; 14(1): 3889, 2023 Jul 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37393324
7.
Recent Advances in 2D Material Theory, Synthesis, Properties, and Applications.
ACS Nano
; 17(11): 9694-9747, 2023 Jun 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37219929
8.
Superior Quality Low-Temperature Growth of Three-Dimensional Semiconductors Using Intermediate Two-Dimensional Layers.
ACS Nano
; 16(11): 19385-19392, 2022 Nov 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36278842
9.
Impact of Etch Processes on the Chemistry and Surface States of the Topological Insulator Bi2Se3.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(35): 32144-32150, 2019 Sep 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31416305
10.
High-Mobility Helical Tellurium Field-Effect Transistors Enabled by Transfer-Free, Low-Temperature Direct Growth.
Adv Mater
; : e1803109, 2018 Jul 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30022534
11.
Controlled crack propagation for atomic precision handling of wafer-scale two-dimensional materials.
Science
; 362(6415): 665-670, 2018 11 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30309906
12.
Dislocation driven spiral and non-spiral growth in layered chalcogenides.
Nanoscale
; 10(31): 15023-15034, 2018 Aug 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30052245
13.
Fermi Level Manipulation through Native Doping in the Topological Insulator Bi2Se3.
ACS Nano
; 12(6): 6310-6318, 2018 Jun 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29874037
14.
Schottky Barrier Height of Pd/MoS2 Contact by Large Area Photoemission Spectroscopy.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(44): 38977-38983, 2017 Nov 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29035026
15.
Probing Interface Defects in Top-Gated MoS2 Transistors with Impedance Spectroscopy.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(28): 24348-24356, 2017 Jul 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28650155
16.
MoS2-Titanium Contact Interface Reactions.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(12): 8289-94, 2016 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26967016
17.
Impurities and Electronic Property Variations of Natural MoS2 Crystal Surfaces.
ACS Nano
; 9(9): 9124-33, 2015 Sep 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26301428
18.
HfSe2 thin films: 2D transition metal dichalcogenides grown by molecular beam epitaxy.
ACS Nano
; 9(1): 474-80, 2015 Jan 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25496648
19.
Defect-dominated doping and contact resistance in MoS2.
ACS Nano
; 8(3): 2880-8, 2014 Mar 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24484444
20.
Silicon interfacial passivation layer chemistry for high-k/InP interfaces.
ACS Appl Mater Interfaces
; 6(10): 7340-5, 2014 May 28.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-24750024