Vertical epitaxial wire-on-wire growth of Ge/Si on Si(100) substrate. | Nano Lett;9(4): 1523-6, 2009 Apr. | MEDLINE

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Vertical epitaxial wire-on-wire growth of Ge/Si on Si(100) substrate.

Shimizu, Tomohiro; Zhang, Zhang; Shingubara, Shoso; Senz, Stephan; Gösele, Ulrich.

Afiliación

Shimizu T; Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle, Germany.

Nano Lett ; 9(4): 1523-6, 2009 Apr.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-19296610

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Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2009 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania

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