Memory properties of a Ge nanoring MOS device fabricated by pulsed laser deposition.

Memory properties of a Ge nanoring MOS device fabricated by pulsed laser deposition.

Ma, Xiying.

Afiliación

Ma X; Institute of Photoelectrical Materials, Shaoxing University, Shaoxing 312000, Zhejiang Province, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 19(27): 275706, 2008 Jul 09.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-21828718

Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2008 Tipo del documento: Article

Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2008 Tipo del documento: Article