Effect of flash lamp annealing and laser spike annealing on random dopant fluctuation of 15-nm metal-oxide-semiconductor devices. | J Nanosci Nanotechnol;12(3): 2462-6, 2012 Mar. | MEDLINE

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Effect of flash lamp annealing and laser spike annealing on random dopant fluctuation of 15-nm metal-oxide-semiconductor devices.

Cheng, Hui-Wen; Hwang, Chih-Hong; Chao, Ko-An; Li, Yiming.

Afiliación

Cheng HW; Parallel and Scientific Computing Laboratory, Department of Electrical Engineering, National Chiao Tung University, 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan.

J Nanosci Nanotechnol ; 12(3): 2462-6, 2012 Mar.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22755074

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Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Clinical_trials Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán

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