Magnetic field enhanced resonant tunneling in a silicon nanowire single-electron-transistor. | J Nanosci Nanotechnol;12(3): 2509-12, 2012 Mar. | MEDLINE

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Magnetic field enhanced resonant tunneling in a silicon nanowire single-electron-transistor.

Aravind, K; Lin, M C; Ho, I L; Wu, C S; Kuo, Watson; Kuan, C H; Chang-Liao, K S; Chen, C D.

Afiliación

Aravind K; Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan.

J Nanosci Nanotechnol ; 12(3): 2509-12, 2012 Mar.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22755082

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Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán

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