Your browser doesn't support javascript.
loading
Quantitative and depth-resolved deep level defect distributions in InGaN/GaN light emitting diodes.
Armstrong, A; Henry, T A; Koleske, D D; Crawford, M H; Lee, S R.
Afiliación
  • Armstrong A; Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA. aarmstr@sandia.gov
Opt Express ; 20 Suppl 6: A812-21, 2012 Nov 05.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23187657
Texto completo
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar en Google

Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos
Texto completo
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar en Google

Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos