K-shell spectroscopy of silicon ions as diagnostic for high electric fields. | Rev Sci Instrum;83(11): 113507, 2012 Nov. | MEDLINE

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K-shell spectroscopy of silicon ions as diagnostic for high electric fields.

Loetzsch, R; Jäckel, O; Höfer, S; Kämpfer, T; Polz, J; Uschmann, I; Kaluza, M C; Förster, E; Stambulchik, E; Kroupp, E; Maron, Y.

Afiliación

Loetzsch R; Helmholtz-Institut Jena, Helmholtzweg 4, D-07743 Jena, Germany. robert.loetzsch@uni-jena.de

Rev Sci Instrum ; 83(11): 113507, 2012 Nov.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23206062

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Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Diagnostic_studies Idioma: En Revista: Rev Sci Instrum Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania

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