Junction-Structure-Dependent Schottky Barrier Inhomogeneity and Device Ideality of Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(12): 11240-11246, 2017 Mar 29.
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1
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Asunto de la revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Año:
2017
Tipo del documento:
Article