Detalles de la búsqueda
1.
Van der Waals polarity-engineered 3D integration of 2D complementary logic.
Nature
; 630(8016): 346-352, 2024 Jun.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38811731
2.
Sub-10 nm HfZrO ferroelectric synapse with multiple layers and different ratios for neuromorphic computing.
Nanotechnology
; 34(50)2023 Oct 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37725957
3.
Ferroelectricity induced double-direction conductance modulation in HfxZr1-xO2capacitors.
Nanotechnology
; 33(49)2022 Sep 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36044816
4.
Digital and analog functionality in monolayer AlOx-based memristors with various oxidizer sources.
Nanotechnology
; 32(35)2021 Jun 08.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34010819
5.
Enhancement of tunneling current in phosphorene tunnel field effect transistors by surface defects.
Phys Chem Chem Phys
; 20(8): 5699-5707, 2018 Feb 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29410993
6.
A 30-m annual corn residue coverage dataset from 2013 to 2021 in Northeast China.
Sci Data
; 11(1): 216, 2024 Feb 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38365784
7.
A Novel Method to Analyze the Relationship between Thermoelectric Coefficient and Energy Disorder of Any Density of States in an Organic Semiconductor.
Micromachines (Basel)
; 14(8)2023 Jul 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37630046
8.
A Novel Density of States (DOS) for Disordered Organic Semiconductors.
Micromachines (Basel)
; 14(7)2023 Jun 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37512673
9.
An Efficient and Robust Partial Differential Equation Solver by Flash-Based Computing in Memory.
Micromachines (Basel)
; 14(5)2023 Apr 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37241525
10.
Flash-Based Computing-in-Memory Architecture to Implement High-Precision Sparse Coding.
Micromachines (Basel)
; 14(12)2023 Nov 30.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38138359
11.
A Gate Programmable van der Waals Metal-Ferroelectric-Semiconductor Vertical Heterojunction Memory.
Adv Mater
; 35(5): e2208266, 2023 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36398430
12.
Defects Induced Charge Trapping/Detrapping and Hysteresis Phenomenon in MoS2 Field-Effect Transistors: Mechanism Revealed by Anharmonic Marcus Charge Transfer Theory.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(1): 2185-2193, 2022 Jan 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34931795
13.
Temperature Impacts on Endurance and Read Disturbs in Charge-Trap 3D NAND Flash Memories.
Micromachines (Basel)
; 12(10)2021 Sep 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34683203
14.
A tied Fermi liquid to Luttinger liquid model for nonlinear transport in conducting polymers.
Nat Commun
; 12(1): 58, 2021 Jan 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33397910
15.
Possible Luttinger liquid behavior of edge transport in monolayer transition metal dichalcogenide crystals.
Nat Commun
; 11(1): 659, 2020 Jan 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32005802
16.
Improving Performances of In-Plane Transition-Metal Dichalcogenide Schottky Barrier Field-Effect Transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(22): 19271-19277, 2018 Jun 06.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29737827
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