Detalhe da pesquisa
1.
Bilayer Quantum Hall States in an n-Type Wide Tellurium Quantum Well.
Nano Lett
; 21(18): 7527-7533, 2021 Sep 22.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34514803
2.
Why In2O3 Can Make 0.7 nm Atomic Layer Thin Transistors.
Nano Lett
; 21(1): 500-506, 2021 Jan 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33372788
3.
First demonstration of robust tri-gateß-Ga2O3nano-membrane field-effect transistors.
Nanotechnology
; 33(12)2021 Dec 24.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34852337
4.
Steep-Slope WSe2 Negative Capacitance Field-Effect Transistor.
Nano Lett
; 18(6): 3682-3687, 2018 06 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29733598
5.
One-Dimensional van der Waals Material Tellurium: Raman Spectroscopy under Strain and Magneto-Transport.
Nano Lett
; 17(6): 3965-3973, 2017 06 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28562056
6.
Statistical study of deep submicron dual-gated field-effect transistors on monolayer chemical vapor deposition molybdenum disulfide films.
Nano Lett
; 13(6): 2640-6, 2013 Jun 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23679044
7.
Review-Extremely Thin Amorphous Indium Oxide Transistors.
Adv Mater
; 36(9): e2304044, 2024 Mar.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37957006
8.
Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3 power diodes.
Nat Commun
; 13(1): 3900, 2022 Jul 06.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35794123
9.
Ionic Control over Ferroelectricity in 2D Layered van der Waals Capacitors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(2): 3018-3026, 2022 Jan 19.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34985251
10.
ZnO-ferromagnetic metal vertically aligned nanocomposite thin films for magnetic, optical and acoustic metamaterials.
Nanoscale Adv
; 5(1): 247-254, 2022 Dec 20.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36605792
11.
Nanometer-Thick Oxide Semiconductor Transistor with Ultra-High Drain Current.
ACS Nano
; 16(12): 21536-21545, 2022 Dec 27.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36446079
12.
Asymmetric Metal/α-In2Se3/Si Crossbar Ferroelectric Semiconductor Junction.
ACS Nano
; 15(3): 5689-5695, 2021 Mar 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33651607
13.
A tunable ferroelectric based unreleased RF resonator.
Microsyst Nanoeng
; 6: 8, 2020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34567623
14.
Quantum Hall effect of Weyl fermions in n-type semiconducting tellurene.
Nat Nanotechnol
; 15(7): 585-591, 2020 Jul.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32601448
15.
Indium-Tin-Oxide Transistors with One Nanometer Thick Channel and Ferroelectric Gating.
ACS Nano
; 14(9): 11542-11547, 2020 Sep 22.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32833445
16.
Solar-Blind UV Photodetector Based on Atomic Layer-Deposited Cu2O and Nanomembrane ß-Ga2O3 pn Oxide Heterojunction.
ACS Omega
; 4(24): 20756-20761, 2019 Dec 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31858062
17.
Room-Temperature Electrocaloric Effect in Layered Ferroelectric CuInP2S6 for Solid-State Refrigeration.
ACS Nano
; 13(8): 8760-8765, 2019 Aug 27.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31374166
18.
Ferroelectric Field-Effect Transistors Based on MoS2 and CuInP2S6 Two-Dimensional van der Waals Heterostructure.
ACS Nano
; 12(7): 6700-6705, 2018 Jul 24.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29944829
19.
Steep-slope hysteresis-free negative capacitance MoS2 transistors.
Nat Nanotechnol
; 13(1): 24-28, 2018 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29255287
20.
ß-Ga2O3 Nanomembrane Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Steep Subthreshold Slope for Wide Band Gap Logic Applications.
ACS Omega
; 2(10): 7136-7140, 2017 Oct 31.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31457293