Detalhe da pesquisa
1.
Low-threshold 2â µm InAs/InP quantum dash lasers enabled by punctuated growth.
Opt Express
; 32(2): 1334-1341, 2024 Jan 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38297688
2.
Graphene/III-V Quantum Dot Mixed-Dimensional Heterostructure for Enhanced Radiative Recombinations via Hole Carrier Transfer.
Nano Lett
; 23(8): 3344-3351, 2023 Apr 26.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37027572
3.
Flexible GaAs photodetector arrays hetero-epitaxially grown on GaP/Si for a low-cost III-V wearable photonics platform.
Opt Express
; 28(24): 36559-36567, 2020 Nov 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33379747
4.
40 Gbit/s waveguide photodiode using III-V on silicon heteroepitaxy.
Opt Lett
; 45(11): 2954-2956, 2020 Jun 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32479431
5.
Effect of p-doping on the intensity noise of epitaxial quantum dot lasers on silicon.
Opt Lett
; 45(17): 4887-4890, 2020 Sep 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32870883
6.
Bright Mid-Infrared Photoluminescence from Thin-Film Black Phosphorus.
Nano Lett
; 19(3): 1488-1493, 2019 03 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30721622
7.
III-V on silicon avalanche photodiodes by heteroepitaxy.
Opt Lett
; 44(14): 3538-3541, 2019 Jul 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31305567
8.
Directly modulated 1.3 µm quantum dot lasers epitaxially grown on silicon.
Opt Express
; 26(6): 7022-7033, 2018 Mar 19.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29609387
9.
Low dark current III-V on silicon photodiodes by heteroepitaxy.
Opt Express
; 26(10): 13605-13613, 2018 May 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29801383
10.
O-band electrically injected quantum dot micro-ring lasers on on-axis (001) GaP/Si and V-groove Si.
Opt Express
; 25(22): 26853-26860, 2017 Oct 30.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29092170
11.
Monolithically integrated InAs/InGaAs quantum dot photodetectors on silicon substrates.
Opt Express
; 25(22): 27715-27723, 2017 Oct 30.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29092242
12.
Electrically pumped continuous-wave 1.3 µm quantum-dot lasers epitaxially grown on on-axis (001) GaP/Si.
Opt Lett
; 42(2): 338-341, 2017 Jan 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28081107
13.
Large-Area Dry Transfer of Single-Crystalline Epitaxial Bismuth Thin Films.
Nano Lett
; 16(11): 6931-6938, 2016 11 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-27775368
14.
Reduction of GaAs Buffer Thickness and Its Impact on Epitaxially Integrated III-V Quantum Dot Lasers on a Si Substrate.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(23): 30209-30217, 2024 Jun 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38828941
15.
Gradual degradation in InAs quantum dot lasers on Si and GaAs.
Nanoscale
; 16(6): 2966-2973, 2024 Feb 08.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38251961
16.
Reduction of Structural Defects in the GaSb Buffer Layer on (001) GaP/Si for High Performance InGaSb/GaSb Quantum Well Light-Emitting Diodes.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(48): 55965-55974, 2023 Dec 06.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37978916
17.
Enhanced Photoluminescence of 1.3 µm InAs Quantum Dots Grown on Ultrathin GaAs Buffer/Si Templates by Suppressing Interfacial Defect Emission.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(39): 45051-45058, 2022 Oct 05.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36162121
18.
Alignment of SWNTs by protein-ligand interaction of functionalized magnetic particles under low magnetic fields.
J Nanosci Nanotechnol
; 11(5): 4540-5, 2011 May.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-21780493
19.
Label-free detection of DNA hybridization using pyrene-functionalized single-walled carbon nanotubes: effect of chemical structures of pyrene molecules on DNA sensing performance.
J Nanosci Nanotechnol
; 11(5): 4210-6, 2011 May.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-21780429
20.
High-Performance Flexible InAs Thin-Film Photodetector Arrays with Heteroepitaxial Growth Using an Abruptly Graded InxAl1-xAs Buffer.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(46): 55648-55655, 2021 Nov 24.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34779602