Detalhe da pesquisa
1.
Phase Stability of Hexagonal/Cubic Boron Nitride Nanocomposites.
Nano Lett
; 23(15): 6927-6936, 2023 Aug 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37489836
2.
Cross-Plane Carrier Transport in Van der Waals Layered Materials.
Small
; 14(20): e1703808, 2018 May.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29659147
3.
Opto-Valleytronic Spin Injection in Monolayer MoS2/Few-Layer Graphene Hybrid Spin Valves.
Nano Lett
; 17(6): 3877-3883, 2017 06 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28534400
4.
Effect of strain on the electronic and optical properties of Ge-Si dome shaped nanocrystals.
Phys Chem Chem Phys
; 17(4): 2484-93, 2015 Jan 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25493297
5.
Nanoscale phononic interconnects in THz frequencies.
Phys Chem Chem Phys
; 16(42): 23355-64, 2014 Nov 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25260120
6.
A Critical Review of Thermal Boundary Conductance across Wide and Ultrawide Bandgap Semiconductor Interfaces.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(25): 29655-29673, 2023 Jun 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37326498
7.
Heteroatom Functionalization of H-Terminated Diamond Surfaces.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(33): 39980-39988, 2023 Aug 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37555428
8.
Unravelling the room temperature growth of two-dimensional h-BN nanosheets for multifunctional applications.
Nanoscale Horiz
; 8(5): 641-651, 2023 May 02.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36880586
9.
Strain-tunable Berry curvature in quasi-two-dimensional chromium telluride.
Nat Commun
; 14(1): 3222, 2023 Jun 03.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37270579
10.
Non-Linear Optics at Twist Interfaces in h-BN/SiC Heterostructures.
Adv Mater
; 35(47): e2304624, 2023 Nov.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37707242
11.
Low Power In-Memory Computation with Reciprocal Ferromagnet/Topological Insulator Heterostructures.
ACS Nano
; 16(12): 20222-20228, 2022 Dec 27.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36459145
12.
Epitaxial Molybdenum Disulfide/Gallium Nitride Junctions: Low-Knee-Voltage Schottky-Diode Behavior at Optimized Interfaces.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(29): 35105-35112, 2021 Jul 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34259497
13.
Structure, Properties and Applications of Two-Dimensional Hexagonal Boron Nitride.
Adv Mater
; 33(44): e2101589, 2021 Nov.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34561916
14.
Van der Waals interfaces in epitaxial vertical metal/2D/3D semiconductor heterojunctions of monolayer MoS 2 and GaN.
2d Mater
; 5(4)2018.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38616955
15.
Anisotropic attosecond charge carrier dynamics and layer decoupling in quasi-2D layered SnS2.
Nat Commun
; 8(1): 1369, 2017 11 08.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29118395
16.
Direct bandgap transition in many-layer MoS2 by plasma-induced layer decoupling.
Adv Mater
; 27(9): 1573-8, 2015 Mar 04.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25589365
17.
Two step growth phenomena of molybdenum disulfide-tungsten disulfide heterostructures.
Chem Commun (Camb)
; 51(56): 11213-6, 2015 Jun 30.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26077828
18.
Tin disulfide-an emerging layered metal dichalcogenide semiconductor: materials properties and device characteristics.
ACS Nano
; 8(10): 10743-55, 2014 Oct 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-25247490