Detalhe da pesquisa
1.
Ambipolar charge-transfer graphene plasmonic cavities.
Nat Mater
; 22(7): 838-843, 2023 Jul.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36997689
2.
Absence of a Band Gap at the Interface of a Metal and Highly Doped Monolayer MoS2.
Nano Lett
; 17(10): 5962-5968, 2017 10 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28920701
3.
Damage-Free Atomic Layer Etch of WSe2: A Platform for Fabricating Clean Two-Dimensional Devices.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(1): 1930-1942, 2021 Jan 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33351577
4.
Few-Layer MoS2 p-Type Devices Enabled by Selective Doping Using Low Energy Phosphorus Implantation.
ACS Nano
; 10(2): 2128-37, 2016 Feb 23.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26789206
5.
Interfacial n-Doping Using an Ultrathin TiO2 Layer for Contact Resistance Reduction in MoS2.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(1): 256-63, 2016 Jan 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26649572