Electroluminescent devices based on amorphous SiN/Si quantum dots/amorphous SiN sandwiched structures.

Zhou, J; Chen, G R; Liu, Y; Xu, J; Wang, T; Wan, N; Ma, Z Y; Li, W; Song, C; Chen, K J

Zhou, J; Chen, G R; Liu, Y; Xu, J; Wang, T; Wan, N; Ma, Z Y; Li, W; Song, C; Chen, K J.

Afiliación

Zhou J; Department of Physics, Nanjing National Laboratory of Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China.

Opt Express ; 17(1): 156-62, 2009 Jan 05.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-19129883

Asunto(s)

Electroquímica/métodos; Luz; Luminiscencia; Nitrógeno; Silicio; Amoníaco; Cristalización; Rayos Láser; Microscopía Electrónica; Nanotecnología; Teoría Cuántica; Dióxido de Silicio/química; Espectrometría Raman/métodos

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Bases de datos: MEDLINE Asunto principal: Silicio / Luminiscencia / Electroquímica / Luz / Nitrógeno Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2009 Tipo del documento: Article País de afiliación: China

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