In2O3 nanocrystal memory with the barrier engineered tunnel layer.
J Nanosci Nanotechnol
; 11(1): 437-40, 2011 Jan.
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| ID: mdl-21446471
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Bases de datos:
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Idioma:
En
Revista:
J Nanosci Nanotechnol
Año:
2011
Tipo del documento:
Article