Annealing Dependence of Solution-Processed Ultra-Thin ZrOx Films for Gate Dielectric Applications.

Liu, G X; Liu, A; Meng, Y; Shan, F K; Shin, B C; Lee, W J; Cho, C R.

J Nanosci Nanotechnol ; 15(3): 2185-91, 2015 Mar.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26413638

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Bases de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2015 Tipo del documento: Article

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