Impact of the precursor chemistry and process conditions on the cell-to-cell variability in 1T-1R based HfO2 RRAM devices.
Sci Rep
; 8(1): 11160, 2018 07 24.
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en En
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| ID: mdl-30042433
Texto completo:
1
Bases de datos:
MEDLINE
Asunto principal:
Óxidos
/
Transistores Electrónicos
/
Equipos de Almacenamiento de Computador
/
Impedancia Eléctrica
/
Conductividad Eléctrica
/
Hafnio
Tipo de estudio:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Sci Rep
Año:
2018
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Italia