Band gap change and interfacial reaction in Hf-silicate film grown on Ge(001). | J Chem Phys;129(16): 164117, 2008 Oct 28. | MEDLINE

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Band gap change and interfacial reaction in Hf-silicate film grown on Ge(001).

Cho, Y-J; Lee, W J; Kim, C Y; Cho, M-H; Kim, H; Lee, H J; Moon, D W; Kang, H J.

Afiliação

Cho YJ; Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Republic of Korea.

J Chem Phys ; 129(16): 164117, 2008 Oct 28.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19045257

Assuntos

Germânio/química; Háfnio/química; Silicatos/química; Dióxido de Silício/química; Espectroscopia de Perda de Energia de Elétrons; Temperatura

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Texto completo: 1 Bases de dados: MEDLINE Assunto principal: Silicatos / Germânio / Háfnio Idioma: En Revista: J Chem Phys Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article

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Texto completo: 1 Bases de dados: MEDLINE Assunto principal: Silicatos / Germânio / Háfnio Idioma: En Revista: J Chem Phys Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article