CdSe quantum dot formation: alternative paths to relaxation of a strained CdSe layer and influence of the capping conditions.

Robin, I C; Aichele, T; Bougerol, C; André, R; Tatarenko, S; Bellet-Amalric, E; Van Daele, B; Van Tendeloo, G

Robin, I C; Aichele, T; Bougerol, C; André, R; Tatarenko, S; Bellet-Amalric, E; Van Daele, B; Van Tendeloo, G.

Afiliação

Robin IC; CEA-CNRS-UJF 'Nanophysics and Semiconductors' Group Laboratoire de Spectrométrie Physique/CNRS UMR5588, Université J. Fourier, Grenoble, BP87, 38402 St Martin d'Hères, France.

Nanotechnology ; 18(26): 265701, 2007 Jul 04.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21730405

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Texto completo: 1 Bases de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2007 Tipo de documento: Article País de afiliação: França