Axial SiGe heteronanowire tunneling field-effect transistors. | Nano Lett;12(11): 5850-5, 2012 Nov 14. | MEDLINE

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Axial SiGe heteronanowire tunneling field-effect transistors.

Le, Son T; Jannaty, P; Luo, Xu; Zaslavsky, A; Perea, Daniel E; Dayeh, Shadi A; Picraux, S T.

Afiliação

Le ST; Department of Physics and School of Engineering, Brown University, Providence, Rhode Island 02912, USA. son_le@brown.edu

Nano Lett ; 12(11): 5850-5, 2012 Nov 14.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23113718

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Texto completo: 1 Bases de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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