Single-fabrication-step Ge nanosphere/SiO<sub>2</sub>/SiGe heterostructures: a key enabler for realizing Ge MOS devices. | Nanotechnology;29(20): 205601, 2018 May 18. | MEDLINE

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Single-fabrication-step Ge nanosphere/SiO₂/SiGe heterostructures: a key enabler for realizing Ge MOS devices.

Liao, P H; Peng, K P; Lin, H C; George, T; Li, P W.

Afiliação

Liao PH; Department of Electrical Engineering, National Central University, ChungLi, Taiwan, 32001, Republic of China.

Nanotechnology ; 29(20): 205601, 2018 May 18.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29469060

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Texto completo: 1 Bases de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article País de afiliação: China

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